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个人简介 |
姓 名 | 性 别 | 出生日期 | 学 历 | 国 籍 |
---|---|---|---|---|
韦仕贡 |
男 |
1985 |
硕士研究生 |
中国 |
简 历 |
韦仕贡先生,1985年出生,中国国籍,无境外长期居留权,本科学历,硕士学位,高级工程师。2006年7月至2021年3月,历任燕东微有限研发部产品主管、副部长,技术中心副主任。2021年3月至今,任燕东微企业技术中心副主任。主要负责公司新产品、新工艺的研究开发。具有深厚的半导体理论和丰富的半导体芯片工艺与产品开发经验。在模拟集成电路设计、保护器件和功率器件开发方面具有深厚的造诣。成功开发了多门类半导体器件产品,包括线性稳压器、运算放大器、低电容二极管、功率MOS和其它各类半导体芯片产品,累计申请专利二十余项。主持的低压差电压调整器电路开发和霍尔效应数字开关集成电路开发等2个部级项目顺利通过验收。同时,作为项目负责人承担完成了国家级重大科技项目高频功率MOSFET的设计与开发。近些年着重于在第三代半导体器件碳化硅功率器件生产工艺,制作工艺整合等方面开发试制工作。 |
持股情况 |
公司名称 | 股份类型 | 持股数量 | 持股变动原因 | 截止日期 |
---|---|---|---|---|
北京燕东微电子股份有限公司 |
A股 |
0股 |
2024-04-27 |
|
北京燕东微电子股份有限公司 |
A股 |
0股 |
2023-04-26 |
任职情况 |
公司名称 | 职务 | 任职日期 | 离职日期 | 报酬(元) |
---|---|---|---|---|
核心技术人员 |
2022-11-30 |
868200 |
||
企业技术中心副主任 |
2022-11-30 |
868200 |
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