中微公司:半导体设备国产替代领军企业
中微公司是半导体设备领域公认的后起之秀
中微公司从事半导体设备的研发、生产和销售,为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴产业公司提供高端设备和工艺技术解决方案,主要为集成电路、LED芯片、MEMS等半导体制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备及其他设备。公司主要客户有台积电、中芯国际、海力士、华力微电子、联华电子、长江存储、三安光电、华灿光电、乾照光电、璨扬光电等。
等离子体刻蚀设备是集成电路生产线上三大主体设备之一,MOCVD设备是光电器件、功率器件等多种半导体器件制备的关键设备。刻蚀设备及MOCVD设备行业均呈现高度垄断的竞争格局。中微公司研发的核心技术和产品面向世界科技前沿,是我国极少数能与全球顶尖设备公司直接竞争并不断扩大市场占有率的企业,是国际半导体设备产业界公认的后起之秀。
等离子体刻蚀设备:达到世界先进水平,符合产业发展趋势
公司自主研发的刻蚀设备已被海内外主流集成电路厂商接受,正逐步打破国际领先企业在国内市场的垄断。在逻辑集成电路制造环节,公司开发的高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的7纳米生产线中若干关键步骤的加工。公司根据先进集成电路厂商的需求开发5纳米及更先进的刻蚀设备和工艺。在3DNAND芯片制造环节,公司的电容性等离子体刻蚀设备技术可应用于64层的量产,同时公司根据存储器厂商的需求正在开发96层及更先进的刻蚀设备和工艺。公司的刻蚀设备技术处于世界先进水平,符合产业发展趋势。
等离子体刻蚀设备是大型真空加工设备,是半导体工艺核心设备之一,包括电容性等离子体刻蚀设备(CCP,CapacitivelyCoupledPlasma)和电感性等离体刻蚀设备(ICP,InductivelyCoupledPlasma)。公司从2004年建立开始便着手开发甚高频去耦合的CCP刻蚀设备PrimoD-RIE。到目前为止已成功开发了双反应台PrimoD-RIE,双反应台PrimoAD-RIE和单反应台PrimoAD-RIE三代刻蚀机产品,涵盖65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE及TSV等刻蚀设备运用双反应台高产出率技术,可带有六个单独的单反应台的反应腔,也可带有三个双反应台的反应腔。配置双反应台的刻蚀设备能帮助客户降低成本。以逻辑电路中离子注入有机掩模层刻蚀应用为例,PrimoAD-RIE-e刻蚀设备已达国际先进水平。
公司从2012年开始开发ICP刻蚀设备,到目前为止已成功开发出单反应台的Primonanova刻蚀设备,同时着手开发双反应台ICP刻蚀设备。公司的ICP刻蚀设备主要涵盖14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的刻蚀应用。电感性等离子体刻蚀设备Primonanova因设计先进、加工效果优异及性价比高等优势正快速进入市场,已有20个反应腔在客户生产线核准,另外还有多家领先客户计划评估这一产品。公司与国际同类设备商产品相比性能持平甚至更好。公司还顺应集成电路先进封装和MEMS传感器产业发展的需要,成功开发了电感性深硅刻蚀设备。硅刻蚀设备(TSV系列)已经进入国际主流MEMS生产厂商产线,性能与国际同行产品相比也不逊色。
MOCVD设备:打破国外垄断,占据主导地位
薄膜沉积设备方面,公司从2010年开始开发用于LED外延片加工中最关键的设备--MOCVD,包括第一代设备PrismoD-Blue、第二代设备PrismoA7及正在开发的第三代30英寸大尺寸设备,可用于蓝绿光LED、功率器件等的制备。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产。公司已成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基LED设备制造商。
2017年以前MOCVD设备主要被维易科和爱思强两家国际厂商垄断。2017年以来公司自主研发的MOCVD设备逐步打破垄断,设备已被三安光电、华灿光电、乾照光电等一流LED制造厂商大批量采购。截至2018年末,累计已有1,100多个反应台服务于国内外40余条先进芯片生产线。公司的MOCVD设备PrismoD-Blue、PrismoA7能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4英寸外延片加工。PrismoA7设备技术实力突出,已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据主导地位。同时公司正在开发更大尺寸MOCVD设备。公司正在研发的设备也覆盖了紫外光LED、MiniLED市场。
盈利预测与投资建议
看好公司依托中国的市场、资金和政策,依靠自身技术研发实力,通过开发高性能的产品、扩充高端设备产能实现进一步成长。预测2019~2021年公司归母净利润分别为1.78、2.46、3.34亿元,同比分别增长96%、38%、36%。EPS分别为0.33、0.46、0.62。首次覆盖,给予“买入”评级。
风险提示
1、订单不及预期的风险;2、研发进度不及预期的风险;3、扩产进度不及预期的风险;4、下游行业需求下滑的风险。