半导体行业:5月半导体capex订单乐观,西安变电站爆炸或加速景气回升,5月B/B值1.09,与4月持平,前段B/B 值升至1.11

5月北美半导体设备B/B值1.09,景气Q4复苏逻辑得到加强。5月B/B值报1.09,与4月持平,B/B值已连续6个月处于景气线以上水平,2016资本支出同增乐观,景气Q4复苏逻辑得到加强。后段(BackEnd)B/B值从4月1.13下降至0.96,部分体现后段BB值的较大季节正常调整,幅度低于历史水平;前段(FrontEndB/B值)则从4月1.09上升至1.11。我们认为,半导体设备的接单和出货持续改善,目前数据支持2016年资本支出同增预期,集成电路产业于Q4复苏的概率进一步增大。

    国内新建晶圆厂产能易消化,投资者不必过度担忧。我们在5月29日半导体景气深度思考中,与投资者回顾和探讨了判断半导体景气的指标体系,其中主要半导体厂商的年度资本支出指引、月度BB值/销售额以及季度库存水平为当前判断的唯一有效指标组合。我们预计2016年资本支出同增仅是开始,或可持续到2018年,半导体景气将从2016年Q4开始看到明显改善。国内新建晶圆厂(尤其同方国芯和武汉新芯)造成产能过剩的可能性较低,反而能够带动上下游产业链加速自给率提升(国产化)。SMIC(中芯国际)2016、2017新增产能符合市场需求,较为理性,考虑到武汉新芯/同方国芯产品定位中端,下游市场需求稳定,产业替代较容易,产能容易消化。叠加景气复苏的预期,国内半导体上下游未来2年日子只会越来越好。

    西安变电站爆炸或加速Flash价格上扬,景气回升或提前。18日晚西安三星3DNANDFlash晶圆厂因附件变电站爆炸起火断电停产。西安三星Flash晶圆厂产品为3DV-NANDFlash,产能10万片/月,占比三星先进制程Memory产能16%。由于全球Flash产能正从2D往3D产品转移,且2D1x制程产品良率尚待提升,新款iPhone备货和SSD固态硬盘需求旺盛,均导致全球Flash供给较为紧缺。根据产业链调研,当晚西安三星晶圆厂部分核心设备已恢复正常,预计影响到的产能仅1-3%,且时间较短,但在全球供给紧缺的背景下,供给波动或放大下游供需缺口,加速Flash价格上扬。由于Flash和Dram产品销售额占比全球芯片销售额达26%,Flash和Dram价格同升或将进一步加速全球集成电路景气回升。

    全球集成电路产业在2016年Q4触底复苏的逻辑得到加强,中国集成电路国产化空间仍大,但内涵将发生分化,继续推荐受益于景气复苏的集成电路全产业链和具有核心技术竞争力的公司,如通富微电、七星电子、北京君正和全志科技。