三安光电点评报告:拟333亿投资现在与未来

拟333亿投资LED外延片及化合半导体,五年内实现投产。

    公司拟以总投资额333亿元,为推动泉州芯谷南安园区尽快形成规模化生产的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、集成电路的研发及产业基地,我们预计其中100亿元+用于投资LED外延片把主业做强做大,包括1)高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目;2)高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目;另外200亿元+用于投资化合物半导体及其他,包括3)大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目;4)光通讯器件的研发与制造产业化项目;5)射频、滤波器的研发与制造产业化项目;6)功率型半导体(电力电子)的研发与制造产业化项目;7)特种衬底材料研发与制造、特种封装产品应用研发与制造产业化项目。公司预计全部项目五年内实现投产,七年内全部项目实现达产,达产后年销售收入约270亿元(按当前产品单价计算)。同时公司以自有资金20亿元用于首期泉州芯谷南安园区投资,后续逐步追加资金投入。

    加速投资化合物半导体,未来抢占行业制高点。

    公司首期募集16亿元用于通讯微电子器件(一期)项目,全部达产后将实现建30万片/年6寸的GaAs产线和6万片/年6寸的GaN产线,达产年销售收入401,539万元(不含税),新增年净利润59,624万元。公司一期已经投资40亿元+,目前顺利释放产能,今年年底将达到2万片/月产能,由于化合物半导体技术门槛较高,目前还处于客户前期的开拓期,试样认证等验证周期较长,短期业绩释放较慢,2016年化合物半导体实现收入1725.96万元,2017年我们预计不到5000万元,而随着公司产能释放及5G到到来,我们预计业绩爆发期将在2018年之后。而此次计划拟333亿元大手笔投资也正好为后续需求爆发做好准备,打造另一个“三安光电”。

    继续投资LED主业,巩固龙头地位。

    公司此次100多亿元用于投资LED外延,有利于应对公司进一步扩大产能及巩固公司行业地位,提升市场占有率。近期美国MOCVD(金属有机化合物气相沉积设备)设备厂Veeco宣布,禁止SGL出售采用Veeco专利技术的MOCVD使用的晶圆承载器(即石墨盘),包括专为中国MOCVD设备商中微半导体设计的石墨盘。针对石墨盘事件,我们认为三安光电虽然购买部分中微半导体设备,但是并不会影响公司机台顺利扩产。预计新增机台数达到150台(以2吋54片机折算),明年一季度将全部量产。

    盈利预测及估值。

    考虑到LED行业景气度回升,公司作为全球LED芯片领先企业受益明显,我们预计公司17-19年实现的净利润为30.05/41.36/50.91亿元,对应EPS分别为0.74、1.01、1.25元/股。我们看好公司盈利能力以及未来的成长空间,给予“买入”评级。