光迅科技:中国制造2025,光电子国创中心从“芯”开始

公司牵头组建的“国家信息光电子创新中心”,近日已由国家工信部正式批复同意建设。

    制造大国到制造强国,“中国芯”产业化之路启航。

    国家信息光电子创新中心以光电子发展联盟为基础,武汉光谷信息光电子创新中心有限公司为依托,采取“公司+联盟”模式运行。其中武汉光谷信息光电子创新中心有限公司由光迅科技6000万元出资成立,后引入8家战略投资者增资至1.6亿元资本。中心目前共有三个分布区域,分别为芯片技术部、器件技术部和集成光电部区域。依托光迅芯片平台、国家重点实验室两大技术平台,创新中心组建了光电芯片工艺平台和光电集成研发平台(硅光平台、高端器件验证平台),形成了从材料生长,芯片后工艺、光子集成、光电集成、高速系统硬件试验测试的高端工艺和测试的技术平台。

    资金支持上,前期平台能力建设包括国家(工信部及地方政府)和股东出资方一次性补助约数亿元,未来项目股东、国家分比例出资,并择机利用各个地方政策来建分中心,积累资金和社会资本,达到辐射全国的目标。国家光电子中心将围绕信息光电子产业发展的重要需求,支撑实现关键共性技术转移扩散和首次商业化应用。目标到2020年,解决25G速率及以下光电子芯片技术,实现国内厂家在核心光电子芯片和器件的市场占有率不低于30%。

    公司光模块全产业链垂直布局,产品结构改善不断开拓新市场。

    公司近期主要增长逻辑:1)电信光模块龙头,17年下半年运营商传输网建设回暖,100G设备端口集采逐步落地,公司电信市场业务受益;2)公司数通市场推出主流100GQSFP28模块产品线,并与硅光子领先企业Mellanox合作研发生产100G硅光收发模块,两条腿(传统分立器件+硅光集成)走路,不错过任何一条技术发展路线,随着公司100G模块技术路线成熟,良率进一步提升,18年100G数通光模块销售额有望提升到一个新的高度;3)10GEML光芯片已通过设备商认证实现自给并批量出货,提升10G/40G产品线价格竞争力,25GDFB/EML光芯片有望在18年下半年实现量产,提升100G产品毛利率并卡位19年5G基站的第一波建设;4)依托自由研发实力进军3DSensing模组及量子通信上游器件,前沿技术跟紧全球步伐。

    投资建议及盈利预测:短期看好公司在传统电信领域通过垂直一体化运营进一步降低成本并提升份额;中长期看好其在高速光芯片、消费者电子以及量子通信几个领域加大布局力度,提升整体业绩体量。我们预计公司17~19年净利润3.49亿元、4.52亿元、5.89亿元,对应18年PE44x,维持“买入”评级。