光迅科技:牵头国家信息光电子创新中心获准,打造核“芯”竞争力

事件:近日,公司发布公告,由公司牵头组建的“国家信息光电子创新中心”获得湖北省经信委和工信部批复通过,正式成立。

    围绕“核心光电子芯片和器件”,平台着力解决光通信产业瓶颈问题。围绕信息光电子产业发展的重要需求,重点开展测试验证能力、中试孵化能力及行业支撑服务能力建设,支撑实现关键共性技术转移扩散和首次商业化应用。到2020年,解决25G速率及以下光电子芯片技术,实现国内厂家在核心光电子芯片和器件的市场占有率不低于30%的目标。

    创新中心可获得工信部、湖北省、开发区三方资金支持,未来定位于平台公司,为整个行业提供资金、人才、信息交流平台。武汉光谷信息光电子创新中心有限公司由光迅科技出资6000万元于2017年1月设立,8月引进了8家战略投资者,注册资本由6000万元变更为16000万元,公司将持有37.5%的股权。国家信息光电子创新中心以光电子发展联盟为基础,采取“公司+联盟”模式运行,打造多元化开放创新平台。

    短期来看创新中心的经费可以帮助公司节约研发支出,长期来看经费充足有利于推动公司项目进度,充分发挥产业协同优势,完善技术前瞻布局。2016年公司的研发费用营收占比为8.5%,公司基于创新中心进行研发可以大幅度降低上市公司的研发投入。同时借助创新中心的资金力量,发挥产业协同优势,将帮助公司在高端芯片领域进一步突破。

    我们认为光迅科技不仅仅是光器件、光模块、子系统的生产厂商,公司在上游光芯片的布局和研发投入也较为充分,垂直一体化布局优势明显,产品结构多元化抗风险能力强,芯片量产能力将提升公司在产业链的议价能力以及成本控制能力。公司目前各类10G芯片总的出货量年200万片以上,自给率达80%,随着10GEML芯片的突破,未来将进一步提升。25GEML/DFB芯片今年大概率送样测试完成,明年实现量产,25GVCSEL有望在2018年开始研发,所以芯片自给率的提升对公司垂直一体化布局以及成本端的利好将会逐步显现。

    盈利预测与投资建议。预计2017-2019年EPS分别为0.55元、0.75元、1.01元,未来三年将保持30.8%的复合增长率,考虑到公司作为国内光通信领域稀缺的具备光芯片研发能力的标的,给予目标价37.50元,维持“买入”评级。

    风险提示:高速率芯片研发或不及预期,产品结构优化或不及预期,数通业务拓展或不及预期,光模块产品竞争加剧,3D视觉业务拓展或不及预期。