三安光电:布局碳化硅功率器件,化合物半导体平台日臻完善

事件描述

    2018年12月19日,三安光电子公司三安集成在官方网站发布新闻《SananIC公布商业版本的6英寸碳化硅晶圆制造流程》,宣布已完成了商业版本的6英寸碳化硅(SiC)晶圆制造技术的全部工艺鉴定试验,并将其加入到代工服务组合中。

    2018年12月21日,中央经济工作会议指出,我国发展现阶段投资需求潜力仍然巨大,要发挥投资关键作用,加大制造业技术改造和设备更新,加快5G商用步伐,加强人工智能、工业互联网、物联网等新型基础设施建设。

    事件评论

    碳化硅功率器件是未来重要发展方向,未来成长性十足。与硅材料相比,SiC材料在禁带宽度、击穿场强等参数上具备明显优势,相应产品具备耐高压、耐大电流的特性,更适合做大功率器件。公司新发布的SiC工艺技术可以生产肖特基二极管,未来将推出MOSFET产品,我们预计未来5-10年汽车是推动SiC功率器件发展的主要动力。据Yole预测,SiC功率器件在2017-2023年有望达到29%的复合增速。

    公司的射频产品已经出货,现在是功率器件的推广。公司在化合物半导体领域过去主要布局GaAs和GaN射频产品,已经应用于手机、基站等通讯产品的射频前端模块中,中央经济工作会议指出的方向将大力推动射频相关的化合物半导体行业发展;同时,公司推出GaN和SiC的功率器件,未来将在新能源领域广泛应用。此外,我们预计不久后公司的光通讯、滤波器也将会展现于市场。

    公司LED业务产能释放获得市场份额的提升,巩固并提高龙头地位。LED芯片自去年四季度开始受下游需求以及行业竞争的影响,价格逐步下滑。公司一边通过持续释放新增产能弥补收入损失且巩固行业地位,另一边通过降本增效维持合理毛利率。

    再次重申,三安光电不仅是LED芯片龙头,第二代和第三代化合物半导体产业才是其最终真正的核心主业。我们预计公司2018-2020年EPS分别为0.85、0.97、1.14元,对应PE15X、14X、12X,维持“买入”评级。

    风险提示:1.LED行业需求持续疲弱,供给端新厂商进入拉长行业调整期;2.化合物半导体行业发展进度不及预期。