三安光电:大手笔再投化合物半导体,彰显公司决心

公司拟在福建省泉州芯谷南安园区投资333亿元,用于七大项目:高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目;高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目;大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目;光通讯器件的研发与制造产业化项目;射频、滤波器的研发与制造产业化项目;功率型半导体(电力电子)的研发与制造产业化项目;特种衬底材料研发与制造、特种封装产品应用研发与制造产业化项目。公司规划全部项目5年内实现投产,7年内实现达产。

    布局高端化合物半导体,紧抓5G时代射频元件商机:2016年全球砷化镓PA市场空间约71亿美元,未来每年增长约14%,2020年达到141亿美元,在2020年5G商用之后的2021年将迎来爆发,增速提升明显。此外,氮化镓在高频应用上性能更具优势,看好其在5G时代的潜力。公司现在大手笔投资布局高端化合物半导体,剑指5G时代的射频元件市场。

    全球LED芯片龙头地位巩固,再投高端化合物半导体,彰显决心,维持“增持”评级:(1)2017-2018新购150台左右MOCVD产能到位后,公司在全球的市场份额将攀升至22%,全球LED芯片龙头地位巩固。产能优势有望转化为成本优势,维持较高毛利率。(2)化合物半导体有望再造三安,目前化合物半导体业务进展顺利,已向47家公司提交样品,其中11颗芯片进入微量产,其它客户芯片持续验证中。此次大手笔投资高端化合物半导体,彰显公司决心!(3)维持“增持”评级。维持2017-2019年净利润分别为32.6、41.3和50.5亿,对应EPS为0.8、1.01和1.24元,对应PE为32、25和20.7倍。