彤程新材料集团股份有限公司关于光刻胶项目进展情况的公告
本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。
重要内容提示：
1、客户认证风险
光刻胶项目所在行业涉及严格的客户认证，不同的工艺和结构需要有不同的光刻胶产品相适应，对光刻胶产品的使用较为谨慎，对产品导入要求高。项目产品存在客户认证周期长和认证计划不确定的风险，能否通过认证尚存在一定的不确定性，对本年度经营业绩无重大影响。
2、市场风险
光刻胶项目定位于实现相关材料的国产替代，公司将直接面对国外龙头厂商的激烈市场竞争。
3、原材料风险
目前项目产品部分原料仍需要外购，同时产品对原料质量和纯度水平要求较高，面临原料价格波动、质量受限或者供应商相关政策波动等风险。
彤程新材料集团股份有限公司（以下简称“公司”）于2020年12月2日披露了《关于全资子公司对外投资项目的公告》（公告编号：2020-073），经公司第二届董事会第十四次会议审议通过，公司决定通过全资子公司上海彤程电子材料有限公司（以下简称“彤程电子”）在上海化学工业区投资建设年产1.1万吨半导体、平板显示用光刻胶及2万吨相关配套试剂项目。
该项目工程阶段已竣工，目前已逐步进入试生产阶段。公司上海化学工业区工厂占地36200平方米，设计能力年产1千吨半导体光刻胶、1万吨显示用光刻胶和2万吨高纯EBR试剂（光刻胶去边剂）。同时在国际国内半导体厂商及光刻胶厂商战略合作推动下，完成了产线优化及品控升级。具体情况如下：
一、半导体光刻胶产能建设情况
公司上海化学工业区工厂年产1千吨半导体光刻胶量产产线，主要包括年产300/400吨ArF及KrF光刻胶量产产线，通过采用超高纯PFA（涂层）设备、引入高精度物料流量控制系统、配以自研的高精度高效率光刻过滤系统，可以实现ppt级金属杂质及0.1um级别的颗粒管控，具备不同配方先进制程光刻胶的生产能力。
二、半导体光刻胶产品开发及量产能力情况
（一）ArF光刻胶产品情况
在ArF光刻胶产品方面，公司已经完成ArF光刻胶部分型号的开发，首批ArF光刻胶的各项出货指标能对标国际光刻胶大厂产品，已具备量产能力，目前处于量产前的光刻工艺测试及产品验证阶段，能否验证通过尚存在一定的不确定性。产能可同时供应国内大部分芯片制造商，能较好地满足国内先进制程光刻胶的部分需求。
（二）、G线、I线及KrF光刻胶产品情况
目前，公司G线光刻胶已经占据国内较大的市场份额；I线光刻胶已广泛应用于国内6"、8"、12"集成电路产线，支持的工艺制程涵盖14nm及以上工艺。KrF光刻胶量产品种达20种以上，稳定供应国内头部芯片制造商。
三、其他电子化学品项目建设及开发情况
为了解决ArF光刻胶所需的高纯溶剂及国内先进工艺制程的需求，公司已经搭建完成高纯EBR装置，成为国内首家建有高纯EBR精馏塔设备及掌握高纯精馏技术的本土溶剂供应商。
公司生产的EBR溶剂已达到G4等级规格，可满足国内40纳米以下工艺制程的芯片制造技术需求，年产2万吨的规模量产能力可有效满足国内先进制程需求。预计第四季度将完成高纯度G5等级EBR的验证，已在国内几家先进芯片制造商中逐步推动产品验证。
四、风险提示
（一）客户认证风险
光刻胶项目所在行业涉及严格的客户认证，不同的工艺和结构需要有不同的光刻胶产品相适应，对光刻胶产品的使用较为谨慎，对产品导入要求高。项目产品存在客户认证周期长和认证计划不确定，能否通过认证尚存在一定的不确定性，对本年度经营业绩无重大影响。
（二）市场风险
光刻胶项目定位于实现相关材料的国产替代，公司将直接面对国外龙头厂商的激烈市场竞争。
（三）原材料风险
目前项目产品部分原料仍需要外购，同时产品对原料质量和纯度水平要求较高，面临原料价格波动、质量受限或者供应商相关政策波动等风险。
特此公告。
彤程新材料集团股份有限公司董事会
2023年11月6日