上海新阳半导体材料股份有限公司 2014 年半年度报告全文
上海新阳半导体材料股份有限公司
2014 年半年度报告
2014 年 08 月
上海新阳半导体材料股份有限公司 2014 年半年度报告全文
第一节 重要提示、释义
本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证本报告所载资料
不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确
性、完整性承担个别及连带责任。
所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。
公司负责人王福祥、主管会计工作负责人邵建民及会计机构负责人(会计主
管人员)周红晓声明：保证本半年度报告中财务报告的真实、完整。
公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。
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目 录
第一节 重要提示、释义 ............................................................................................................... 2
第二节 公司基本情况简介 ........................................................................................................... 6
第三节 董事会报告 ....................................................................................................................... 9
第四节 重要事项......................................................................................................................... 22
第五节 股份变动及股东情况 ..................................................................................................... 35
第六节 董事、监事、高级管理人员情况 .................................................................................. 38
第七节 财务报告......................................................................................................................... 40
第八节 备查文件目录 ............................................................................................................... 125
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释义
释义项 指 释义内容
国家科技重大专项是为了实现国家目标，通过核心技术突破和资源集
成，在一定时限内完成的重大战略产品，关键技术和重大工程，是我
国科技发展的重中之重。该工程源于《国家中长期科学和技术发展规
国家 02 科技重大专项 指
划纲要（2006-2020）》共确定了 16 个国家科技重大专项，目前公布
了 13 个，其中第二项为\"极大规模集成电路制造装备及成套工艺\"，简
称\"国家 02 科技重大专项\"。
电子电镀包括半导体引线脚电镀、芯片电镀、印刷线路板电镀、连接
器电镀、微波器件电镀、塑料电镀、纳米电镀以及脉冲电镀等等。简
单地说，电子电镀就是用于电子产品制造的电镀过程，它是电子产品
电子电镀 指
制造加工的重要环节，在很大程度上体现了电子制造业的技术水平。
与公司相关的主要电子电镀技术指半导体行业中广泛采用的引线脚
无铅纯锡电镀、晶圆微细沟槽、微孔的镀铜填充等系列技术。
半导体制造与封装过程中的各种清除与清洗工艺（包括清洗、清除剂
和与之配套的工艺）。在半导体器件和集成电路的制造过程中，几乎
每道工序都涉及到清除与清洗，而且集成电路的集成度越高，制造工
序越多，所需的清洗工序也越多，是半导体制造和封装过程中不可少
电子清洗 指 的关键工序。可以说，没有有效的电子清洗技术，便没有今天的半导
体器件、集成电路和超大规模集成电路的发展。与公司相关的主要电
子清洗技术指半导体制造与封装过程中需要用到大量的清洗技术，如
半导体封装过程中的去毛刺、电镀前处理、后处理等，半导体制造过
程中的光刻胶剥离和光刻胶清洗等。
也称为晶圆制造或半导体前道（半导体封装称为后道），是指通过显
半导体制造 指 影、蚀刻、化学气相沉积、物理气相沉积、电镀、研磨等方法在硅片
上做出电路，生产的产品是晶圆（或称为芯片）。
将器件或电路装入保护外壳的工艺过程。确保芯片与外界隔离，以防
半导体封装 指 止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降，也便于安装
和运输。
晶圆片级芯片规模封装（Wafer Level Packaging）不同于传统的芯片
封装方式（先切割再封测，而封装后至少增加原芯片 20%的体积），
此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个
晶圆级封装（WLP） 指 个的 IC 颗粒，因此封装后的体积即等同 IC 裸晶的原尺寸。WLP 的
封装方式，不仅明显地缩小内存模块尺寸，而且符合行动装置对于机
体空间的高密度需求；另一方面在效能的表现上，更提升了数据传输
的速度与稳定性。
晶圆湿制程 指 将晶圆浸泡在化学溶液中，通过化学、电化学的方法完成对晶圆表面
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的处理工艺，诸如显影、电镀、清洗、剥离等，是先进封装、高端芯
片制造的关键制程。
凸块（bumping，也称凸点）是在 FC、WLP 等封装技术中芯片与 PCB
连接的唯一通道，与传统封装相比，能够很大程度上增加 I/O 的数量。
Bumping 指
凸块连接由 UBM（底层金属），包括 Cr, Ni, V, Ti, Ti/w, Cu 和 Au 等等，
以及凸块本身所组成的。
微电子机械系统（Micro Electro Mechanical systems），是指对微米/纳
米材料进行设计、加工、制造、测量和控制的技术。它可将机械构件、
MEMS 指
光学系统、驱动部件、电控系统集成为一个整体单元的微型系统，广
泛应用在导航、光学、声控、医疗等所需的传感器件的制造技术。
硅通孔技术（TSV，Through -Silicon-Via）是通过在芯片和芯片之间、
晶圆和晶圆之间制作垂直导通孔，实现芯片之间互连的最新技术。与
TSV 指
以往的 IC 封装键合和使用凸点的叠加技术不同，TSV 能够使芯片在
三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片性能。
近年来出现的新封装技术，在晶圆切割为芯片前直接进行封装，也称
为晶圆级封装，可以大大缩小封装体积、提高集成度。与前道工艺相
先进封装 指
比，先进封装技术具有明显的投资低、见效快的优势，包括 3DTSV
和 Bumping、MEMS 等晶圆级封装技术。
以含氟树脂为主要成膜物的系列涂料的统称，它是在氟树脂基础上经
过改性、加工而成的一种新型涂层材料，其主要特点是树脂中含有大
量的 F-C 键,其键能为 485KJ/mol 在所有化学键中堪称第一。在受热、
光（包括紫外线）的作用下，F-C 难以断裂，因此显示出超长的耐候
氟碳涂料 指
性及耐化学介质腐蚀，故其稳定性是所有树脂涂料中最好的。这就基
本决定了它具有比一般其它类型涂层材质更为优异的使用性能，因此
有“涂料王”之称。该涂料是防腐性、耐磨性、耐污染性、耐久性良好
的最佳建材用面漆。
相对常规防腐涂料而言，能在相对苛刻腐蚀环境里应用，并具有能达
到比常规防腐涂料更长保护期的一类防腐涂料。重防腐涂料能适应相
重防腐涂料 指
对恶劣、复杂、多变的环境，可应用于海上设施、集装箱、桥梁、石
油贮存设备、石化厂的管道、煤气管道及其设施、垃圾处理设备等。
PVDF 是氟碳涂料最主要原料之一，以其为原料制备的氟碳涂料已经
发展到第六代，由于 PVDF 树脂具有超强的耐候性，可在户外长期使
PVDF 指
用，无需保养，该类涂料被广泛应用于发电站、机场、高速公路、高
层建筑等。
基板是制造 PCB 的基本材料，它具有导电、绝缘和支撑三个方面的
功能。基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，
基板 指
以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密
度或多芯片模块化的目的。
划片工艺是半导体封装的必要工序，该工序的作用是把整片晶圆切割
划片 指 成单个芯片。该道工序要求精度较高，除了需要划片设备以外，还消
耗以下材料：纯水、二氧化碳气体、蓝膜、划片刀（Blade）、划片液。
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第二节 公司基本情况简介
一、公司信息
股票简称 上海新阳 股票代码
公司的中文名称 上海新阳半导体材料股份有限公司
公司的中文简称（如有） 上海新阳
公司的外文名称（如有） Shanghai Sinyang Semiconductor Materials Co., Ltd.
公司的外文名称缩写（如有） Shanghai Sinyang
公司的法定代表人 王福祥
注册地址 上海市松江区思贤路 3600 号
注册地址的邮政编码
办公地址 上海市松江区思贤路 3600 号
办公地址的邮政编码
公司国际互联网网址 http://www.sinyang.com.cn
电子信箱 info@sinyang.com.cn
二、联系人和联系方式
董事会秘书 证券事务代表
姓名 吕海波 杜冰
联系地址 上海市松江区思贤路 3600 号 上海市松江区思贤路 3600 号
电话 021-57850066 021-57850066
传真 021-57850066 021-57850066
电子信箱 info@sinyang.com.cn info@sinyang.com.cn
三、信息披露及备置地点
公司选定的信息披露报纸的名称 《证券时报》、《上海证券报》、《中国证券报》、《证券日报》
登载半年度报告的中国证监会指定网站的网址 http://www.cninfo.com.cn
公司半年度报告备置地点 公司董事会办公室，深圳证券交易所
四、主要会计数据和财务指标
公司是否因会计政策变更及会计差错更正等追溯调整或重述以前年度会计数据
□ 是 √ 否
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本报告期 上年同期 本报告期比上年同期增减
营业总收入（元） 153,859,121.83 71,229,429.34 116.00%
归属于上市公司普通股股东的净利润
30,626,892.02 17,071,520.79 79.40%
（元）
归属于上市公司普通股股东的扣除非经
30,041,210.37 19,308,365.34 55.59%
常性损益后的净利润（元）
经营活动产生的现金流量净额（元） 6,680,075.64 14,035,418.62 -52.41%
每股经营活动产生的现金流量净额（元/
0.0587 0.1648 -64.38%
股）
基本每股收益（元/股） 0.27 0.2 35.00%
稀释每股收益（元/股） 0.27 0.2 35.00%
加权平均净资产收益率 3.78% 4.44% -0.66%
扣除非经常性损益后的加权平均净资产
3.71% 5.02% -1.31%
收益率
本报告期末比上年度末增
本报告期末 上年度末
减
总资产（元） 969,784,661.28 951,994,824.33 1.87%
归属于上市公司普通股股东的所有者权
806,923,212.55 795,467,091.50 1.44%
益（元）
归属于上市公司普通股股东的每股净资
7.0907 6.99 1.44%
产（元/股）
五、非经常性损益项目及金额
√ 适用 □ 不适用
单位：元
项目 金额 说明
非流动资产处置损益（包括已计提资产减值准备的冲销部分） -37,398.57 固定资产处置损失。
十二五 02 重大专项 45-28um 配
线用超高纯系列溅射靶材料确
计入当期损益的政府补助（与企业业务密切相关，按照国家统
400,558.74 认政府补助 21.23 万元；十一五
一标准定额或定量享受的政府补助除外）
02 重大专项确认政府补助 12.13
万元,专利补助 6.7 万元。
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易
性金融资产、交易性金融负债产生的公允价值变动损益，以及
415,877.65 购入理财产品投资收益。
处置交易性金融资产、交易性金融负债和可供出售金融资产取
得的投资收益
除上述各项之外的其他营业外收入和支出 -47,922.00 专利补助及捐赠支出。
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与十二五 02 重大专项当期确认
其他符合非经常性损益定义的损益项目 -212,303.18
补助所对应的费用支出。
减：所得税影响额 -66,869.01
合计 585,681.65 --
对公司根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公
开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应
说明原因
□ 适用 √ 不适用
公司报告期不存在将根据《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》定义、列举的非经常性损益
项目界定为经常性损益的项目的情形。
六、重大风险提示
1、新产品开发所面临的风险
公司的电子化学品具有品种多、批量少、升级快、研发投入大、周期长、风险高等特点，需要持续开
发和创新。产品研发试制成功后，进行大规模生产时，任何设备工艺参数缺陷、员工素质差异等都可能导
致产品品质波动，面临产品难以规模化生产风险。
公司通过多年持续不断的研发投入，加强技术储备和科研管理，掌握了自主知识产权的核心技术，在
电子化学品研发及生产领域积累了较为丰富的经验和技术储备，能够降低新产品开发的风险。
2、新产品市场推广风险
由于芯片制造工艺对环境、材料的严格要求，芯片制造企业一般选择认证合格的安全供应商保持长期
合作，从而降低材料供应商变化可能导致的产品质量风险；同时，新的材料供应商必须通过芯片制造企业
严格的公司和产品评估认证才能成为其合格供应商。因此，公司芯片铜互连电镀液及添加剂等新产品大规
模市场销售市场推广面临客户的认证意愿、对公司质量管理能力的认可以及严格的产品认证等不确定因
素，存在一定的市场推广风险。
公司一直高度重视新市场推广工作，并通过加大新产品市场开发投入、严格新产品质量管理、引进新
市场专业人员等手段控制新市场推广的风险。
3、投资规模扩张和研发投入导致盈利能力下降的风险
随着募投项目逐步建成投产，公司投资规模迅速扩大，固定资产大幅增加将导致折旧成本大幅增加，
同时公司近年来研发投入较大，如果公司市场开发工作进展不顺利，营业收入不能实现同步增长，将会导
致公司盈利能力下降的风险。
公司将全力做好新市场开发，不断挖掘和发现新的客户，力争减少盈利能力下降的风险。同时公司也
集约运行，从管理上挖掘潜力，把运行成本的上升控制到最小程度。
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第三节 董事会报告
一、报告期内财务状况和经营成果
1、报告期内总体经营情况
本报告期，公司实现营业收入15385.91万元，比上年同期增长116%，实现利润总额3617.48万元，比
上年同期增长79.51%，归属于上市公司股东的净利润为3062.74万元，比上年同期增长79.40%。报告期内，
公司合并全资子公司江苏考普乐新材料有限公司后业绩较上年同期实现了较大幅度的增长。合并前母公司
净利润比上年同期下降46.64%，主要是由于报告期内，公司的新产品和新项目处于市场推广期，自主研发
投入增加，同时募投项目建设完成，运行成本上升，营业收入未能实现同步增长，致使经营业绩受到一定
影响。
2014年上半年，公司继续巩固在半导体领域的市场地位，不断挖掘潜力，寻求纵深发展。在传统封装
领域，公司的晶圆划片刀产品市场推广进展比较顺利，已经获得了少量的销售订单；在晶圆制程市场开发
方面，芯片铜互连电镀液产品在中芯国际（北京）进入中央供液系统，在中芯国际（上海）采购份额有所
增加，在无锡海力士半导体（中国）有限公司产品已经通过验证，并且实现销售，同时铜制程清洗液也通
过了中芯国际（上海）的生产线验证，并获得少量订单；在IC封装基板领域，公司的电镀铜添加剂产品已
经获得客户验证通过。
2014年上半年，上海新阳合作投资300mm半导体硅片项目，借此涉足半导体硅片产品，在半导体领域
得到纵深发展。本项目致力于在我国建设300毫米半导体硅片生产基地，实现300毫米半导体硅片的国产化，
同时发展200毫米抛光硅片生产能力，充分满足我国极大规模集成电路产业的对硅衬底基础材料的迫切要
求。本项目产品能够填补国内空白，保证国内硅片供应的安全性及产业链的完整和稳定性。上海新阳将通
过本投资项目进入高品质半导体硅片生产领域，进一步丰富公司产品结构，完善了公司发展战略布局，从
而提升公司竞争力及经营业绩。
主要财务数据同比变动情况
单位：元
本报告期 上年同期 同比增减 变动原因
报告期内，公司营业总收入比上年同期增加
8262.97 万元，同比上升 116%。本报告期母公
营业收入 153,859,121.83 71,229,429.34 116.00%
司比上年同期减少 165.93 万元，下降 2.33%；
合并考普乐后，营业收入增加 8452.71 万元。
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报告期内，公司营业总成本比上年同期增加
5443.98 万元，同比上升 159.26%。本报告期
营业成本 88,623,752.89 34,183,981.09 159.26% 母公司比上年同期增加 659.76 万元，增长
19.28%；合并考普乐后，营业总成本增加
4788.77 万元。
报告期内，公司销售费用比上年同期增加
539.79 万元，同比上升 156.47%。本报告期母
销售费用 8,847,625.69 3,449,762.68 156.47%
公司比上年同期增加 18.20 万元，增长 5.28%；
合并考普乐后，销售费用增加 521.41 万元。
报告期内，公司管理费用比上年同期减少
254.27 万元，同比下降 9.57%。本报告期母公
司比上年同期减少 983.62 万元，下降 37.08%；
管理费用 24,013,370.72 26,556,092.86 -9.57% 主要原因是本报告期 02 研发项目已结束，研
发费用比上年同期减少 570.15 万元，本报告期
资产重组减少 423.75 万元。合并考普乐后，管
理费用增加 706.29 万元。
报告期内，公司财务费用比上年同期增加
219.78 万元，同比上升 53.09%。本报告期母
公司比上年同期增加 174.58 万元，增长
财务费用 -1,941,800.95 -4,139,631.14 53.19%
42.89%，主要原因是本报告期由于募投技改项
目的投入，结余资金减少，利息收入减少所致；
合并考普乐后，财务费用增加 38.50 万元。
报告期内，公司所得税费用比上年同期增加
254.65 万元，同比上升 82.67%。本报告期母
公司比上年同期减少 193.50 万元，下降
所得税费用 5,626,974.40 3,080,445.49 82.67%
62.81%，主要原因是本报告期净利润下降所
致；合并考普乐后，所得税费用增加 448.15
万元。
报告期内，公司总研发投入比上年同期减少
341.98 万元，同比下降 21.23%。本报告期母
公司比上年同期减少 682.61 万元，下降
研发投入 12,689,360.96 16,109,178.42 -21.23%
43.12%，主要原因是国家重大专项 2013 年 12
月项目结束；合并考普乐后，研发投入增加
340.63 万元。
报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额
比上年同期减少 735.53 万元，同比下降
52.41%。本报告期母公司比上年同期减少
经营活动产
1068.34 万元，下降 76.09%，主要原因是应收
生的现金流 6,680,075.64 14,035,418.62 -52.41%
账款和应收票据期末余额上升；合并考普乐
量净额
后，经营活动产生的现金流量净额增加 774.57
万元。其他子公司及合并影响减少 441.76 万
元。
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报告期内，公司投资活动产生的现金流量净额
比上年同期增加 4735.21 万元，同比上升
85.95%。本报告期母公司比上年同期增加
4806.38 万元，增长 95.16%，主要原因是本报
投资活动产
告期购买银行理财产品到期收回引起投资活
生的现金流 -7,741,885.08 -55,094,024.77 -85.95%
动现金流入增加 5060.49 万元，由于本报告期
量净额
投资子公司及购建无形资产引起投资活动现
金流出净增加 254.11 万元；合并考普乐后，投
资活动产生的现金流量净额减少 1215.76 万
元，其他子公司及合并影响增加 1144.59 万元。
报告期内，公司筹资活动产生的现金流量净额
比上年同期增加 1760.05 万元，增长 117.98%。
本报告期母公司比上年同期增加 1471.39 万
元，增长 98.63%，主要原因是本报告期 02 专
筹资活动产
项项目结束，政府补助减少引起筹资活动现金
生的现金流 2,681,945.54 -14,918,544.36 117.98%
流入减少 1011.73 万元，由于本报告期未分配
量净额
股利及支付保证金等引起筹资活动现金流出
减少 2483.12 万；合并考普乐后，筹资活动产
生的现金流量净额减少 15.97 万元，其他子公
司及合并影响增加 304.63 万元。
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| 公告日期:2014-08-15 |
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